2025.7.3半导体行业专题报告

一、价格分析：Q3-Q4 存储板块持续涨价，DDR4 领涨市场

1. 价格走势回顾

半导体存储市场自 2025 年 3 月底回暖，DRAM/NAND 自 3 月开启上涨通道。6 月 DDR4 报价单月跳涨 50%，渠道内存条两周累计涨幅超 30%，低容量 eMMC 价格较去年底翻倍增长，16GB/32GB/64GB eMMC 价格基本持平。2. Q3-Q4 涨价预测

1. DRAM：PC DDR4 合约价预期涨幅扩大至 18-23%（TrendForce），Server DDR4 涨幅 8-13%，Q4 持续上涨。

2. NAND Flash：Q3 合约价涨幅上修至 5-10%，企业级 SSD 订单显著增加，Q4 预期涨幅 8-13%。

3. 低容量产品：256Gb TLC Wafer 因原厂停产持续紧缺，LPDDR4x 仍有涨价空间。

4. 核心驱动逻辑

供给侧收缩（原厂旧制程产能转向 HBM / 先进节点）与库存回补（服务器 / PC OEM 提前备货）共振，国内模组厂商直接受益转单红利，业绩弹性显著。

二、供给侧：海外龙头减产利好国产厂商，国内产能持续扩张

1. 市场格局

2. 全球市场：DRAM 由三星（36.5%）、SK 海力士（35%）、美光（21.5%）垄断；NAND Flash 由三星（33.5%）、SK 海力士（19%）、铠侠（17.5%）主导。

3. 国内突破：长鑫存储 DRAM 市占率约 5%-6%，长江存储 NAND 市占率约 5%-6%，2024 年均实现突破。

4. 产能变动

5. 海外减产：美光停产 DDR4/LPDDR4，三星、SK 海力士缩减旧制程产能，转向 DDR5/HBM。

6. 国内扩张：长鑫存储 2025 年 DRAM 晶圆投片量预计 273 万片（同比 + 68%），长江存储 294 层 NAND 已量产，深圳设立 50 亿元半导体基金支持存储产业链。

7. 资本支出与技术迁移

存储原厂资本支出向先进封装 / 研发倾斜，聚焦 HBM、1γ 制程、300 层 NAND 等，2025 年全球 DRAM 位元产量预计增长 25%，产能约 2032K / 月。

三、需求侧：AI 驱动存储容量升级，多领域需求爆发

1. 服务器领域

2. AI 服务器：2025 年 HBM 需求同比 + 117%，DDR5 需求 + 212%，企业级 SSD 预计 2027 年占 NAND 需求 31%。

3. 市场规模：2024 年全球服务器出货量 1310 万台（环比 + 4%），中国服务器市场规模 1764.3 亿元（同比 + 6.8%），存储芯片占服务器成本 52.4%（DRAM 37.7%+NAND 14.7%）。

4. 消费电子领域

5. AI PC：2025 年渗透率达 35%，单机 DRAM 搭载量年增 12.4%（64G 成标配），PCIe 5.0 SSD 加速普及。

6. AI 手机：LPDDR5X 需求受 GRACE CPU 驱动同比 + 427%，24GB+1TB 组合成主流，2024 年全球智能手机平均 NAND 容量超 200GB。

7. 汽车电子领域

智研咨询预测，全球汽车存储芯片市场规模从 2023 年 47.6 亿美元增至 2028 年 102.5 亿美元，车规存储从 eMMC 向 UFS、Auto SSD 升级，LPDDR5X/6 降低动态功耗，支持自动驾驶 24 小时待机。

四、技术趋势：3D NAND 与 DRAM 迭代加速，HBM 等高端产品成焦点

1. 3D NAND：2025 年进入 300 层时代，三星、长江存储等推进混合键合技术，存储密度持续提升，长江存储 294 层 NAND 已量产。

2. DRAM：制程进入 1γ 时代（12nm），美光 1γ 技术使 DDR5 速度达 9200MT/s，功耗降低 20%；国内长鑫存储推出 LPDDR5 芯片，聚焦低功耗与高性能。

3. HBM：AI 加速器核心存储方案，2024 年市场规模 23 亿美元，SK 海力士占据 HBM3 85% 市场份额，12 层 HBM4 预计 2025 年 10 月量产，单封装容量 36GB，良率突破 70%。

4. 新型接口技术：DDR5 渗透率提升，MRDIMM 突破内存带宽瓶颈，PCIe 5.0 SSD 读写速度超 10GB/s，QLC NAND 在手机存储渗透率 2025 年预计达 21%。

五、A 股公司动态：国产化加速突破，技术与场景双轮驱动

1. 存储模组与主控

2. 江波龙：推出适配国产 CPU 的 PCIe SSD，自研 UFS4.1 主控芯片（WM6000），TCM 模式整合 Sandisk BiSC8 闪存技术，车规 UFS2.1 量产，2024 年自研 SLC NAND 出货超 1 亿颗。

3. 佰维存储：发布 PCIe 5.0 企业级 SSD（SP5 系列，读写 13.2/10GB/s）及 96GB CXL 内存模组，小尺寸 LPDDR5X 适配高性能手机，车规 UFS 通过 AEC-Q100 认证。

4. 联芸科技：PCIe 5.0 主控芯片量产，UFS 3.1 主控落地，车载感知信号处理芯片完成流片，AIoT 芯片集成千兆以太网 PHY。

5. 存储芯片

6. 澜起科技：DDR5 内存接口芯片出货超 DDR4，第三代 RCD 2024Q4 规模出货，PCIe 6.0 Retimer 出货超百万颗，MRCD 芯片配套 MRDIMM 规模试用。

7. 兆易创新：车规 NOR Flash 获 ASIL D 认证，8Gb DDR4 量产，LPDDR5 研发加速，车规 MCU（GD32A7）覆盖车身域控场景。

8. 东芯股份：1xnm SLC NAND 风险量产，LPDDR4x 量产，车规存储通过 AEC-Q100 验证，投资 GPU 企业布局计算芯片。

9. 分销与封测

10. 太极实业：攻克 32D 堆叠与 SDBG 工艺，300 + 层 NAND 验证完成，海太半导体封测产能达 22.6 亿 Gb / 月。

11. 深科技：PoPt 封装量产，16 层堆叠 uMCP SiP 具备量产能力，硬盘磁头业务受益 HDD 需求回暖。

12. 香农芯创：“海普存储” DDR5/eSSD 通过服务器认证，国产化企业级存储生态闭环形成。

六、投资分析与风险提示

1. 投资分析及相关公司

2. 存储模组主控：江波龙、德明利、佰维存储、联芸科技。

3. 存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份、聚辰股份。

4. 分销封测：香农芯创、深科技、太极实业、长电科技。

5. 风险提示

地缘政治风险、需求复苏不及预期、技术迭代滞后、产业政策变化。

关键数据摘要

指标	数据
2025 年 Q3 PC DDR4 涨幅	18-23%（TrendForce）
NAND Q4 预期涨幅	8-13%
长鑫存储 2025 投片量	273 万片（同比 + 68%）
AI 服务器 HBM 需求增速	2025 年同比 + 117%
汽车存储市场规模	2028 年预计 102.5 亿美元（2023 年 47.6 亿美元）
HBM2024 年市场规模	23 亿美元
3D NAND 层数	2025 年进入 300 层以上