2025.12.24存储行业观察

一、存储芯片进入新一轮涨价周期

（一）三大存储巨头纷纷上调产品价格

2025Q4，Micron、Samsung、SK Hynix 三大存储巨头陆续上调 DRAM 及 NAND Flash 产品合约价，调整幅度在 5%-30% 之间。同期，相关产品现货价格同步持续上扬，全球存储芯片市场正式开启新一轮成长周期。

（二）存储周期历史复盘

2016-2018 年，智能手机存储与内存配置升级带动存储芯片需求增长，开启涨价周期；2018-2019 年，智能手机出货量下滑，行业转入下行调整。2020-2023 年，线上经济、居家办公拉动 PC 出货量提升，叠加产业链囤货需求，市场进入上行周期；后续疫情影响消退，需求回落，行业进入降价周期。

（三）新一轮存储周期的驱动因素分析

本轮涨价周期由智能手机和服务器双重需求共振驱动。智能手机方面，iPhone 等主流机型持续升级内存与存储容量，2025 年 iPhone 17 存储容量提升至 256GB，后续仍有望进一步升级，带动需求增长。服务器方面，AI 技术发展推动云厂商资本开支加码，2021-2024 年全球八大云厂商资本开支复合增长率达 21.6%，预计 2024-2026 年复合增长率将达 51.9%，AI 服务器对存储芯片的容量、带宽及延迟性能要求提升，拉动 HBM3E、DDR5 等先进存储技术需求。

二、内存：DRAM

（一）DRAM 概述

DRAM 是易失性存储器，可与计算芯片直接交互，用于快速存储临时信息，由存储单元、外围逻辑电路、周边线路三部分组成。2024 年全球 DRAM 市场规模达 958.63 亿美元，同比增长 84.83%，市场呈现寡头垄断格局，Samsung、SK Hynix、Micron 合计占据 97.49% 的市场份额。

（二）DRAM 技术路线分化

JEDEC 定义了 DDR、LPDDR 及 GDDR 三类 DRAM 标准。DDR 主要面向服务器、PC 等，性能提升核心路径为优化核心频率；LPDDR 具备低功耗优势，适配移动终端，数据传输速度持续迭代升级；GDDR 适用于高端显卡、AI 等数据密集型场景，传输速率不断提升。

（三）DRAM 核心发展方向：HBM

HBM 是基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM，通过垂直堆叠芯片并利用 TSV 技术实现高速连接，具备高带宽、低延迟特性，可破解 AI 场景下芯片性能瓶颈。自 2015 年推出以来已迭代至 HBM4，关键性能指标大幅提升。2024 年全球 HBM 市场规模达 56.1 亿美元，预计 2034 年将增长至 570.9 亿美元，目前 SK hynix、Samsung、Micron 占据主要市场份额，HBM 在 DRAM 市场的渗透率正加速提升。

三、存储：NAND Flash

（一）NAND Flash 概述

NAND Flash 是非易失性存储器技术，断电后可保存数据，具有存储容量大、单位成本相对较低等优势，按存储单元位数可分为 SLC、MLC、TLC、QLC 四种类型，不同类型产品场景定位差异显著。

（二）全球 NAND Flash 市场呈现寡头垄断格局

2023 年全球 NAND Flash 市场规模为 387.3 亿美元，2024 年增至 656.4 亿美元。2024 年市场份额前五的企业依次为 Samsung（35.7%）、SK Group（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。国内外企业纷纷加码该领域，技术迭代与产品创新持续突破。

（三）NAND Flash 经历从 2D 向 3D 架构发展

随着 2D NAND Flash 容量提升触及物理极限，3D NAND 技术应运而生。相较于 2D NAND Flash，3D NAND Flash 具备容量更大、寿命更长、能耗更低的优势，无需依赖制程微缩即可提升存储密度与数据容量，已成为行业发展主流。

四、全球存储芯片产业转移

（一）存储芯片转移路线：美国 - 日本 - 韩国 - 中国

全球存储技术起源于美国，此后经历两次区域转移。1970 年代日本凭借举国体制突破核心技术，一度主导全球市场，后因日美贸易摩擦份额下滑；韩国企业顺势崛起，Samsung 等成为行业领跑者；当前，中国企业加速技术突破与产能扩张，推动全球存储芯片产业重心逐步向中国转移。

（二）美国存储芯片代表企业：Micron

Micron 成立于 1978 年，聚焦存储赛道，产品涵盖 DRAM、NAND Flash 等，广泛应用于多个领域。2025 年实现营业收入 373.78 亿美元，同比增长 48.85%，毛利率 39.79%。业务向存储核心场景聚焦，云存储业务成为营收主力，积极布局 HBM3E、3D TLC NAND Flash 等产品，绑定 AI 行业巨头，终止消费级零售业务，聚焦高利润领域。

（三）日韩存储芯片代表企业：Kioxia，SK Hynix

Kioxia 是全球存储器解决方案领导者，专注于闪存及 SSD 业务，2025 年实现营业收入 114.95 亿美元，同比增长 58.51%，毛利率 33.37%，其第八代 BiCS FLASH™3D 闪存存储密度显著提升。SK Hynix 是顶尖半导体存储解决方案供应商，2024 年营业收入 454.71 亿美元，同比增长 102.02%，毛利率 48.08%，布局 HBM 系列、AI 专用存储等产品，在全球 HBM 市场占据重要份额。

（四）中国存储芯片代表企业：长江存储，长鑫存储，江波龙

长江存储是存储器 IDM 企业，依托自主研发的 Xtacking 架构实现 3D NAND Flash 工艺快速迭代与产能突破。长鑫存储专注于 DRAM 领域，产能持续增长，率先实现 DDR5 及 LPDDR5X 存储芯片技术突破。江波龙是全球领先的半导体存储企业，产品涵盖嵌入式存储、固态硬盘等，2024 年营业收入 174.6 亿元，同比增长 72.5%，毛利率 19.1%，境外营收占比较高。

五、风险提示

• 行业周期性波动风险：存储芯片行业周期性强，供需变化易引发产品价格大幅波动，若未来需求不及预期或产能集中释放，可能出现产品降价。
• 市场竞争加剧风险：国际巨头与国内厂商均在高端赛道加速布局，市场竞争可能进一步加剧。
• 技术迭代不及预期：存储行业技术迭代速度快，若研发投入不足、量产良率未达目标，可能导致产品竞争力下滑。