核心观点

• 掩膜版作为微电子制造中图形转移的母版，是平板显示、半导体等行业的关键材料，其精度和质量直接影响下游制品的优品率。2019 年，在半导体晶圆制造材料市场中，掩膜版占比约 13%，仅次于硅片和半导体气体。
• 平板显示领域，中国大陆产能超全球 60%，但掩膜版市场被美国和日韩厂商垄断，国内清溢光电、路维光电正在提升渗透率。
• 半导体领域，预计 2025 年国内市场规模约 187 亿人民币，其中晶圆制造用、封装用、其他器件用掩膜版分别约 100 亿、26 亿、61 亿元人民币。国内厂商营收较低，正处于技术升级、新高端产能释放、渗透率提升阶段。

掩膜版生产具有较高的技术壁垒

• 光刻工艺是半导体制造核心流程，包括来料清洗、涂胶、曝光等多个步骤，通过这些流程将光刻胶图形转移到衬底上。
• 掩模版是光刻工艺关键耗材，如同传统相机 “底片”，半导体器件由多层图案叠加而成，需精准套准的掩模版，其品质影响产品质量与良率，在半导体平面工艺中不可或缺，设计有明场和暗场之分。
• 光掩膜版包含版图信息和代工工艺修正信息。光刻技术不断发展以制造更小线宽集成电路，遵循瑞利判据，通过减小光源波长等方式提升分辨率，光刻机也不断革新。
• 掩模技术与光刻技术密切相关，芯片关键尺寸缩小使掩模版更复杂。光刻方式分为接触式、接近式、投影式，对掩模版要求不同，投影式光刻中掩模版技术演进需解决光的干涉与衍射问题。
• 光的干涉、衍射会导致 CD 精度下降，产生光学邻近效应。光刻增强技术（RET）是掩模版演进核心技术，如离轴照明等，可提高图形转移质量。
• 随着光刻技术发展，90nm 及以下工艺节点需计算光刻技术，包括光学邻近效应修正等，以提升成像精度和良率。OPC 从 250nm 节点引入，通过修正掩模图形补偿光学邻近效应，其软件是技术实现抓手。
• 移相掩模技术（PSM）可改善图形对比度，提高分辨率，但其制备工艺更复杂，有多种类型。半导体掩模版套刻层数增加，导致套刻精度难度加大。

掩膜版市场广阔且国产渗透率较低

• 掩膜版位于电子信息产业上游，其行业发展与下游密切相关，2021 年占半导体材料市场规模约 12%，仅次于硅片和电子特气。
• 半导体和平板显示是掩膜版最大应用市场，半导体占 60% 份额，LCD 占 23%，OLED 占 5%，PCB 占 2%。
• 2024 年全球半导体材料营收达 675 亿美元，晶圆制造材料和封装材料分别为 429 亿、246 亿美元，同比均有增长。
• 预计 2025 年全球半导体掩膜版市场规模 89.4 亿美元，国内约 187 亿人民币。独立第三方掩模版厂商市场份额将增大，目前全球市场集中度高，主要被美国和日本三家公司控制。
• 国内半导体掩模版厂商渗透率低，主要生产商有中芯国际光罩厂、清溢光电等，营收规模整体较低。
• 中国是全球平板显示掩膜版主要市场之一，2024 年市场稳步增长，清溢光电、路维光电是主要国产供应商，但美国和日韩厂商处于垄断地位。
• 半导体芯片产能将进一步向中国大陆转移，2025 年全球新增 18 座晶圆厂，中国大陆月产能增速快，拉动相关设备和材料需求。
• 先进封装需求推动掩膜版需求提升，2025 年全球先进封装市场规模达 569 亿美元，占封装市场 50%，所需掩膜版数量多于传统封装。
• 中国大陆 AMOLED/LTPS 制造商持续扩大投资，OLED 在中小尺寸显示市场占比超 50%，LTPO 背板工艺所需掩膜版层数比传统 LTPS 更多。

高端掩膜版需要更先进设备和材料配套

• 半导体掩模版生产涉及 CAM、光刻、检测三个主要环节，包括多项复杂工艺，技术壁垒高。
• CAM 本质是图形数据转换与处理，是掩模版制造起点，存在非标数据识别转换、图形补偿、对位标记等技术难点。
• 光刻是掩模版制造核心工艺，直接决定多项图案和定位精度指标，主要包括曝光、显影等步骤。
• CD 精度更高对光刻机等设备要求更高，掩膜版生产主要使用直写光刻设备，电子束光刻机主要供应商为瑞典 Mycronic 和德国海德堡仪器。
• 掩膜版主要由基板和遮光膜组成，基板常用石英玻璃，掩膜基板是原材料成本主要构成，2024 年其供应呈现全球集中度高、国内高端产品依赖进口特点。

风险提示

• 市场竞争加剧的风险：境外及境内竞争对手可能采取加大资本投入、价格竞争等手段，导致行业竞争加剧。
• 下游需求不景气的风险：宏观经济等因素可能导致下游面板、半导体等行业需求变弱，使掩膜版厂商嫁动率下滑、收入不及预期。
• 产品升级和客户导入不及预期：国内厂商处于产品升级、产能扩张、客户导入阶段，可能面临相关不及预期的风险。
• 汇率波动风险：上游原材料、设备依赖进口，汇率波动可能影响厂商业绩。
• 国际地缘风险：地缘政治冲突及出口管制政策趋严，可能导致生产资料供应紧张、融资受限等，影响行业内公司研发、生产和经营。