2026.1.26电子行业观察电子行业

摘要

• AI 驱动存储高景气周期：本轮存储涨价由 AI 驱动的结构性需求重构主导，区别于以往库存周期。AI 训练和推理对高带宽、低延迟存储需求旺盛，数据中心与服务器拉动大容量 DDR5、HBM 及企业级 SSD 需求增长。供给端短期增长有限，2025Q4 起海外存储原厂纷纷发布涨价函，市场供应紧张。
• 存储芯片涨价趋势延续：DRAM 领域，原厂减产导致 DDR4 供给紧缺，AI 需求推动 DDR5、HBM 需求提升，2026 年服务器出货与单机容量提升将延续 DDR5 涨价态势。NAND 领域，下游需求强劲带动 NAND Wafer、颗粒价格上行，AI 驱动冷数据转温数据，推动存储从 HDD 向 SSD/DRAM 转移，叠加 HDD 扩产有限，SSD 渗透率加速提升。
• 国产存储产业链受益：存储行业高景气叠加自主可控需求，大陆存储厂商扩产动力充足。长鑫科技 IPO 拟募资 295 亿元用于 DRAM 产线升级与研发，长江存储推进 3D NAND 芯片产能爬坡。“两存” 产能扩张将驱动设备、封测、材料等环节投资需求，利好国产存储产业链。

一、 AI 需求爆发驱动存储行业 “超级周期”

• 需求逻辑转变：存储需求从传统 “容量驱动” 转向 “容量 + 带宽 + 延迟” 性能驱动。AI 大模型训练数据量达 EB 级别，2028 年全球新生成数据量预计达 393.9ZB。AI 服务器对 DRAM 需求量是普通服务器的 8-10 倍，2026 年 AI 服务器出货量预计同比增长 20.9%，占整体服务器比重提升至 17.2%。
• 海外原厂提价：2025 年 9 月至 2026 年 1 月，西部数据、闪迪、SK 海力士、三星等海外厂商陆续上调存储产品价格，其中闪迪 NAND 闪存合约价涨幅达 50%，三星 32GB DDR5 内存芯片模组合约价涨幅达 60.4%。
• 高端产品成核心资产：HBM 凭借高带宽、低功耗特性成为 AI 服务器标配，HBM3E 带宽达 819GB/s，HBM4 将翻倍至 2TB/s。HBM 在 DRAM 市场销售额占比从 2023 年的 8% 提升至 2025 年的 33%，2026 年预计突破 41%。海外厂商产能向 HBM 倾斜，加剧服务器 DRAM 供给缺口。
• 存储架构革新：传统 “计算 - 存储分离” 架构无法满足 AI 需求，存储结构将围绕 AI 高并发、海量吞吐等属性重构。HBM 技术路线明确，HBM4 解决终端 AI 服务器容量问题，HBM5 攻克大模型计算延迟问题。

二、 结构性供应紧张驱动存储价格延续上涨

（一） DRAM：海外存储厂商产能向更先进制程倾斜，供给偏紧格局延续

• DDR4 供给收缩涨价：三大 DRAM 原厂优先分配产能给高阶 Server DRAM 和 HBM，DDR4 产能收缩。2024 年全球消费 PC 中 60% 配置 DDR4 内存，厂商备货不足加剧供需紧张，2026Q1 一般型 DRAM 合约价格预计环比上涨 55%-60%。
• DDR5 涨价趋势延续：云服务与 AI 应用推动 DRAM 需求增长，服务器厂商提前备货 DDR5。DDR4 紧缺导致部分需求转向 DDR5，叠加 2026 年服务器出货与单机容量提升，DDR5 合约价全年呈上涨态势。
• 消费电子成本压力：移动端 DRAM 受产能转向高端影响涨价，存储芯片在智能手机 BoM 成本占比从 10%-15% 升至 20% 以上，千元以下机型成本压力显著，行业格局向头部厂商集中。
• HBM 市场格局变化：2025Q1 SK 海力士以 36% 的营收市占率超越三星，成为全球第一大 DRAM 供应商。海外厂商加速 HBM 扩产，SK 海力士 2026 年计划将 1/3 产能用于 HBM 生产，美光 HBM 月产能有望从 5 万片 / 月提升至 10 万片 / 月。

（二） NAND：供给调整 + 企业级需求旺盛，价格上涨有望延续

• 需求高速增长：2024-2030 年 NAND 市场需求量复合增速预计达 21%，数据中心需求近 5 年 CAGR 达 26%，超 50% 由 AI 负载直接驱动。
• 价格大幅上行：原厂优先供应高利润企业级产品，旧制程产能收缩。2025 年 7 月至 2026 年 1 月，1TB TLC NAND Flash Wafer 价格从 5.6 美元涨至 15 美元，涨幅超 100%；1TB PCIe 3.0 SSD 渠道价从 42 美元涨至 110 美元，涨幅达 162%。
• 数据分层结构转变：AI 驱动冷数据转温数据，热、温、冷三层数据占比将从 20%:30%:50% 转变为 30%:60%:10%，推动存储从 HDD 向 SSD/DRAM 转移。
• SSD 渗透率加速提升：HDD 扩产有限，企业级 HDD 交付周期延长至 52 周以上。SSD 凭借高性能、高存储密度和低能耗优势，在数据中心的应用需求激增。2024-2030 年 AI 服务器对存储需求 CAGR 预计达 20%，将长期消耗约 1/3 的企业级 SSD 出货量。

三、 国产化提速，看好国产存储产业链

（一） 自主可控 + 景气周期确定，大陆存储扩产动力充足

• 行业供需缺口支撑扩产：2026 年三星、SK 海力士、美光三大 DRAM 原厂晶圆总产出预计同比增长 5%，仍难以满足市场需求。国产替代趋势明确，厂商扩产有助于提升市场份额。
• 技术突破进展：长鑫科技 DDR5 产品量产，性能达国际先进水平；LPDDR5X 产品速率较上一代提升 66%，功耗降低 30%。长江存储自主研发的 Xtacking 架构实现 232 层以上 3D NAND Flash 量产，产能设备国产化率达 45%。
• “两存” 扩产计划：长鑫科技 IPO 拟募资 295 亿元用于产线升级与研发，2025 年底总产能预计从 20 万片 / 月增至 30 万片 / 月，全球产能占比达 15.6%，2025 年末其 DDR5 市场份额预计从 1% 提升至 7%。长江存储推进三期项目，目标 2026 年占据全球 NAND 闪存市场 15% 的份额。

（二） 产业链：涨价周期叠加扩产周期共振，关键环节有望受益

• 设计环节：海外大厂收缩成熟制程产能，利基型存储市场供不应求。兆易创新、东芯股份等厂商受益于行业景气上行；澜起科技 MXC 芯片被三星、SK 海力士采用，PCIe Retimer 芯片需求随 AI 服务器出货量增长而攀升。
• 设备环节：2026 年 DRAM 产业资本支出预计达 613 亿美元，同比增长 14%；NAND Flash 资本支出预计达 222 亿美元，同比增长 5%。投资重心转向制程升级与 HBM 等高附加值产品，驱动刻蚀、沉积等设备需求。中微公司、北方华创、拓荆科技等国产设备厂商技术突破，产品性能媲美国际领先水平。
• 模组环节：AI 驱动高端模组需求增长，头部厂商凭借库存红利释放高毛利订单。江波龙企业级存储业务收入 2025H1 同比增长 138.66%，拟定向增发 37 亿元布局 AI 高端存储与封测领域；德明利自研 SATA SSD 主控芯片实现批量销售，嵌入式存储布局车规、工规领域。
• 封测环节：存储厂商扩产带动封测订单增长，先进封装技术提升单位价值。HBM/3D NAND 需求增长推动硅通孔、混合键合技术导入，封测厂商高附加值业务占比提升。国产封测厂商绑定长鑫科技、长江存储，有望提升市场份额。

四、 投资建议

本轮存储涨价由 AI 驱动的结构性需求重构主导，高带宽、低延迟存储需求旺盛，供给端短期增长有限，涨价趋势延续。存储行业高景气叠加自主可控需求，以长鑫科技、长江存储为代表的国产厂商扩产动力充足，产能扩张将驱动设备、封测、材料等环节投资需求，利好国产存储产业链。相关 ETF 涵盖国联安半导体 ETF、华夏国证半导体芯片 ETF、嘉实上证科创板芯片 ETF 等。

五、 风险提示

• AI 服务器出货量不及预期风险：云计算厂商资本开支增长不及预期，将直接影响服务器需求，进而影响存储行业景气度。
• 国产化进程不及预期风险：国内厂商在技术、研发、材料、产能等领域推进慢于预期，将影响其市场份额提升速度。
• 存储价格大幅波动风险：存储价格具备周期性波动特征，大幅波动容易影响企业盈利能力。
• 存货跌价准备大幅增加风险：存储价格波动可能导致厂商库存减值，影响盈利水平。