2026.3.11存储行业观察

核心观点

AI 大模型技术迭代带来海量存储需求，叠加海外原厂产能倾斜、扩产谨慎及高端产品技术壁垒等供给端刚性因素，存储行业供需缺口扩大，2026 年存储价格整体将延续上涨态势；国内存储企业依托多重优势全面崛起，推动中国存储从规模增长转向技术引领；行业同时面临 AI 发展、存储价格、研发进展不及预期的相关风险。

01 需求端：AI 需求爆发，超级成长周期

• 存储基础体系：存储产品按晶圆类型、性能及应用可分为嵌入式存储、SSD、内存模组等多种形态，产业链涵盖上游晶圆及主控芯片设计制造、中游存储产品开发制造、下游 AI 端侧、消费电子等多元化应用领域。
• AI 成为需求核心引擎：生成式 AI 技术迭代推动 AI 训练、推理需求爆发，AI 向下游深度渗透，AI 服务器成为存储需求核心，重塑存储市场需求格局。2025-2029 年 AI 端侧、AI 服务器存储市场规模将分别实现 36.4%、14.1% 的年化增速，而传统消费电子存储市场规模预计下滑、占比下降。
• 行业周期与需求驱动逻辑：存储行业存在 8-10 年的需求驱动长周期，从 PC、智能手机时代到当前 AI 时代均遵循这一规律，下游创新带来新增需求，进而影响厂商资本开支和产能调整，而技术升级与资本开支又决定行业供给。
• AI 带来的需求增量具体表现
• 供需紧张与价格走势：2025 年四季度 DRAM/NAND Flash 综合价格指数同比翻倍以上增长，大型云服务商巨额采购订单超出原厂供应能力，叠加产能向高端倾斜，非服务器市场供应紧缺，2026 年一季度存储价格预计环比大涨 20%-45%，全年价格易涨难跌。

02 DRAM：高端需求爆发，供给结构变化

• 行业发展阶段：2022Q1-2023Q1 行业处于调整期，原厂减产缩线；2024Q2-2025Q1 进入结构性景气期，HBM 出货量增加、价格上涨；2025Q2 至今，多模态和视频生成爆发使 HBM、DDR5 供不应求，DRAM 全系产品价格飙升，市场规模大幅扩大。
• 市场格局与厂商策略：DRAM 市场呈现三星、SK 海力士、美光三强垄断格局，2025Q3 合计市占率超 91%。三大原厂及南亚科技、华邦电子均聚焦高端，将产能向 HBM、DDR5 倾斜，收缩 DDR3、DDR4 等成熟制程产能，以抢占 AI 红利、维持产品价格。
• 产能结构变化：2026 年三大原厂均规划提升 HBM 专用产能占比，HBM 产能增幅显著高于 DRAM 总产能增幅，而中低端产能被持续挤压，叠加下游恐慌性囤货，DDR3、DDR4 价格出现补涨，短期产能缺口明显。
• 技术发展趋势：三星、SK 海力士、美光围绕 HBM4 展开技术、产能等全方位竞争，锁定英伟达等巨头千亿级订单；未来 HBM 从 HBM4 到 HBM8，带宽、容量将指数级增长，存储单元将成为计算核心，匹配大模型数据需求。

03 NAND：AI 需求驱动，产能扩张谨慎

• 行业发展阶段：2023Q1-2025Q1，行业先经历去库存、供给收缩，后随 AI 需求出现和国内政策刺激逐步恢复；2025Q2 至今，AI 多模态和推理需求推动企业级 SSD 需求爆发，原厂产能向高利润产品倾斜，导致 NAND Flash 结构性短缺，价格全面上涨，头部企业已开启产品涨价并预告季度调价。
• 市场格局与厂商策略：NAND 市场五巨头占据约 90% 份额，寡头垄断特征明显。海外原厂对 NAND 产能扩张整体持谨慎态度，更多聚焦于内部结构转型升级，如发展 QLC SSD、eSSD、提升 3D NAND 堆叠层数等，且供给纪律严格，避免价格战。
• 技术发展趋势：全球 3D NAND 技术向更高堆叠层数、高位密度演进，W2W 键合、Hybrid Bonding 成为下一代核心技术，后者能实现更高密度、更低功耗的芯片互联，主流厂商均在推进相关技术研发与应用。

04 供给端：扩产指引谨慎，原厂库存极低

• 行业周期的供给驱动逻辑：存储行业周期性波动是供给驱动的自我修正，产能建设的 1-2 年滞后性导致供不应求与供过于求交替出现，行业呈现 “复苏 — 扩张 — 顶峰 — 衰退” 的循环，各阶段厂商的库存、资本开支、产能调整策略各有不同。
• 资本开支与扩产瓶颈：2026 年全球 DRAM、NAND Flash 资本支出预计分别年增 14%、5%，厂商扩产策略保守，新增资本开支主要用于制程技术升级而非单纯产能扩张。同时，晶圆厂建设周期长，洁净室建设、设备、空间、人才等方面存在多重瓶颈，高端 HBM 洁净室建设周期远跟不上需求爆发。
• 原厂库存处于历史低位：2023Q1 起原厂库存周转加快，2025Q2 后库存绝对值和周转天数加速下降，目前 DRAM 和 NAND 原厂平均库存仅 3-5 周，处于极度紧缺状态，2026 年部分高端产能已被提前锁定，短期供给刚性显著，原厂掌握市场谈判主动权。
• 中游模组厂库存特征：2023 年模组厂库存低位，2024-2025 年进入主动补库存阶段，2025 年二季度后虽有惜售情节，但库存数量整体良性。不同企业备货策略差异明显，江波龙采取长约 + 现货的稳健策略，库存与需求匹配；德明利备货策略更为激进，库存增幅更高。

乘 AI 之势，国产存储产业链全面崛起

在全球存储行业高景气背景下，国内存储企业依托工程师红利、完善的基建设施、齐全的产业链配套等优势快速崛起。以长江存储、长鑫存储为代表的企业通过自主架构创新与工艺迭代，实现产能扩张、良率提升，在 AI 算力、消费电子、企业级市场全面突破，推动中国存储从规模增长转向技术引领。

国内存储产业链相关企业各有布局：长鑫存储专注 DRAM 芯片，长江存储为 3D NAND 闪存 IDM 企业，江波龙、德明利聚焦存储产品研发设计与解决方案，兆易创新为 Fabless 芯片供应商，香农芯创为半导体授权分销商，佰维存储涵盖存储研发封测生产，普冉股份、聚辰股份专注于存储芯片及相关集成电路产品。

风险提示

• AI 发展不及预期风险：若大模型技术进展不及预期，可能导致 AI 相关资本开支下修，进而影响存储行业需求。
• 存储价格下行风险：存储价格暴涨引发流通渠道炒作囤货，若投机过度影响下游需求，可能造成存储价格下跌。
• 研发进展不及预期风险：存储企业需持续进行产品升级创新，若战略选择失误，可能引发研发失败风险。