1 半导体开启 AI 新纪元，先进封装重要性凸显

• 市场规模展望：台积电预测，全球半导体市场规模将在 2030 年突破 1 万亿美元，其中 HPC/AI 终端市场将占据 45% 的份额，成为半导体市场增长的首要驱动力。

• 能效与技术创新：台积电通过制程升级、先进封装及设计架构革新，实现能效性能（EEP）每两年 3 倍的提升，且该趋势有望延续，为半导体市场注入增长动力。

• 商业模式变革：半导体行业商业模式向 Foundry 2.0 模式转变，前道晶体管制造与后端封装结合，Foundry 与 OSAT 边界模糊。

• 先进制程发展

• N3：台积电目前最先进的技术平台，已在移动终端与 HPC/AI 产品量产，N3E 良率出色，N3P 将进一步提升性能，还将推出多个版本满足不同需求，截至 2025 年 4 月已获 70 个以上新试流片产品。

• N2：基于首代环栅晶体管技术，性能优于 N3E，计划 2025H2 量产，N2P 和 N2X 将陆续推出，预计第二年新试流片产品数量较 N5 增长近 4 倍。

• A16：采用背部电源传输技术 SPR，性能和功耗表现更优，主要针对数据中心 AI 和 HPC 产品，预计 2026 年下半年量产。

• A14：基于下一代纳米片技术，能效、性能等更出色，预计 2028 年量产，带 SPR 的版本 2029 年量产。

• 未来技术方向：垂直堆叠 CFET 及 2D TMD 可能成为 A14 后技术升级方向，台积电在相关领域有突破。

• 先进封装平台迭代：未来 HPC/AI 产品封装技术平台将在 3D 堆叠芯片、Interposer 中间层功能、信号传输等方面提升，台积电 3D Fabric 先进封装平台持续升级，包括 SoIC、CoWoS、InFO、SoW 等技术。

2 先进制程与先进封装持续升级，共同驱动芯片性能提升

• CoWoS 技术：是一种 2.5D 先进封装技术，核心是将芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联，工艺流程包括 Chip on Wafer 和 Wafer on Substrate，具有性能提升、功耗降低、高灵活性与扩展性等优势，与 HBM 配合能提升 AI 芯片算力与存力。

• CoWoS 类型及特点

• CoWoS-S：用硅衬底作为中介层，成本高、性能优，尺寸受硅材料限制，英伟达 H100 等采用该技术，经过多代升级。

• CoWoS-R：使用有机中介层，可靠性好、良率高，能适应更复杂功能需求，在小芯片互连方面重要。

• CoWoS-L：结合局部硅互连和 RDL 中介层，集成两者优点，性能更优，将成为主流方案。

• 散热解决方案：针对 CoWoS-R 封装的散热挑战，台积电提出撞击式液冷系统和硅集成直接液冷解决方案 IMC-Si 等。

3 AI 需求全面爆发，CoWoS 产能供不应求

• 云厂商加码 AI 建设：谷歌、Meta、亚马逊、微软等云厂商相继上调资本开支，投向 AI 相关领域，AI 产业链迎来发展机遇，Tokens 调用量增长也显示推理需求高速增长。

• AI 驱动晶圆代工增长：2025 年晶圆代工产值预计同比增长 20%，AI 芯片产能占比有望提升，台积电 25Q2 业绩超预期，2nm、A16 等先进制程稳步推进。

• AI 供应链与 CoWoS 产能：台股 AI 服务器供应链业绩亮眼，AI 需求全面爆发，GPU 与 ASIC 共同发展。主流 AI 芯片采用 CoWoS 封装，导致其产能供不应求，英伟达是 CoWoS 需求主要贡献者。全球 CoWoS 产能主要集中在台积电，中国大陆厂商获能受限，扩产势在必行，同时面临美国相关管制。国内封测厂积极布局先进封装技术与产能。

相关标的

• 海外：先进封装供应商有台积电、日月光等；先进封装设备有 ASMPT、Besi 等；先进封装材料有欣兴电子、IBIDEN 等。

• 国产：封测厂包括长电科技、通富微电等；先进封装设备及零部件有芯源微、拓荆科技等；先进封装材料有兴森科技、天承科技等。

风险提示

• 下游需求不及预期：若云厂资本开支下滑，AI 驱动的先进封装需求可能受影响。

• 扩产进展不及预期：先进封装技术难，扩产受多方面因素影响。

• 地缘政治风险：先进制程和先进封装可能受管制。