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LEGACY REPORT / #772行业分析

2026.1.22存储芯片行业观察

报告摘要SUMMARY
  1. 全球存储价格自2025年上半年复苏上涨后,2025年第三季度至第四季度现货及合约价格加速上行。
  2. AI存储带来额外需求增量,多级存储体系优化补充了快速增加的KV缓存空间。英伟达在CES 2026上发布了推理上下文存储平台,利用BlueField-4 DPU构建专用上下文记忆层,在计算节点层面实现从GPU HBM、主机内存、本地SSD到网络存储的分层覆盖。DeepSeek最新论文提出的Engram模块也采用了类似的分层设计,将不同访问频率的知识分别存储于HBM、DRAM和SSD,以兼顾速度与容量。
  3. 2026年第一季度存储合约及现货价格涨幅超预期,涨价趋势逐步扩展至代工和封测环节。常规DRAM价格环比预计增长55%-60%,NAND环比预计增长33%-38%。原厂产能向服务器和HBM转移,导致其他市场供应紧张。部分厂商已提出长期锁量方案,合约价格涨幅较高。产业链中,封测代工环节产能吃紧,价格也出现上调。
  4. 供给方面,DRAM产能增长可能低于需求增幅,NAND供应更集中于企业级产品。2026年三星、海力士的DRAM产量预计同比小幅增长,美光产量预计与2025年相近,但整体产能增幅与市场需求之间仍存在差距,部分领域满足率较低。NAND产能可能有所下调,主要因DRAM盈利确定性更高,且AI数据中心对大容量SSD需求上升,影响消费级NAND供应比例。
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全球存储价格自2025年上半年复苏上涨后,2025年第三季度至第四季度现货及合约价格加速上行。近期数据显示,2026年第一季度各品类存储价格环比涨幅超过此前预期。预计2026年全年全球存储供给整体保持偏紧,AI需求增长持续快于产能扩张速度。消费类存储和利基型存储受产能挤压及下游备货等因素影响,价格涨幅也超出常规水平。国内存储产业链的多环节可能因此受益。

AI存储带来额外需求增量,多级存储体系优化补充了快速增加的KV缓存空间。英伟达在CES 2026上发布了推理上下文存储平台,利用BlueField-4 DPU构建专用上下文记忆层,在计算节点层面实现从GPU HBM、主机内存、本地SSD到网络存储的分层覆盖。DeepSeek最新论文提出的Engram模块也采用了类似的分层设计,将不同访问频率的知识分别存储于HBM、DRAM和SSD,以兼顾速度与容量。

供给方面,DRAM产能增长可能低于需求增幅,NAND供应更集中于企业级产品。2026年三星、海力士的DRAM产量预计同比小幅增长,美光产量预计与2025年相近,但整体产能增幅与市场需求之间仍存在差距,部分领域满足率较低。NAND产能可能有所下调,主要因DRAM盈利确定性更高,且AI数据中心对大容量SSD需求上升,影响消费级NAND供应比例。

2026年第一季度存储合约及现货价格涨幅超预期,涨价趋势逐步扩展至代工和封测环节。常规DRAM价格环比预计增长55%-60%,NAND环比预计增长33%-38%。原厂产能向服务器和HBM转移,导致其他市场供应紧张。部分厂商已提出长期锁量方案,合约价格涨幅较高。产业链中,封测代工环节产能吃紧,价格也出现上调。

全球存储厂商陆续发布业绩预告,2025年第四季度多家公司营收及利润显著增长。三星、佰维存储、南亚科等季度业绩表现突出,预计2026年第一季度价格仍可能继续上涨。后续多家海外大厂将密集发布财报,相关动态可能进一步影响市场。

存储芯片价格上涨带动了年初行情,后续国内公司业绩预告及海外季报将陆续披露。存储封测涨价已逐步蔓延,配套芯片是否跟进值得观察。存储产业链各环节,包括原厂、模组、芯片、封测代工等均可能出现变化,设备及配套芯片领域也存在潜在机会。

需注意的风险包括下游需求不及预期、价格趋势变动、宏观环境变化、供应链稳定性以及行业竞争加剧等。

HISTORICAL ARCHIVE / 2026.01.22本文为冻结的历史归档,不再更新。
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