2026.3.2半导体设备行业观察

一、国产设备商业绩高增，持续加大研发投入

• 业绩端高速增长：选取 14 家半导体设备行业重点标的，2024&2025Q1-Q3 合计实现营业收入 732.2/648.0 亿元，同比 + 33/+32%；归母净利润 119.0/110.4 亿元，同比 + 15/+28%；扣非归母净利润 104.2/98.0 亿元，同比 + 30/+27%，营收与利润均保持高速增长。
• 盈利能力呈现分化：2024&2025Q1-Q3 十四家企业销售毛利率为 45.3/43.2%，同比有所下降；销售净利率为 12.6/13.5%，2025Q1-Q3 同比提升 2.9pct。2025 年行业控费能力优化，期间费用率同比回落，2024&2025Q1-Q3 期间费用率为 34.7/32.2%。
• 研发投入持续加码：2020-2025H1 十四家公司研发投入逐年增长，2024/2025H1 分别达 139.88/75.55 亿元，同比 + 34.7%/28.4%，研发投入占营收比重分别为 19.1%/19.6%。2020-2024 年员工总数从 1.7 万人增至 4.5 万人，研发人员占比从 32.6% 提升至 38.9%，人员结构持续优化。
• 在手订单充足，现金流阶段性承压：2024&2025Q1-Q3 存货金额达 626.9/786.7 亿元，同比 + 34%/23%，创历史新高；合同负债 192.1/213.6 亿元，同比 + 14%/1%，连续三年新高，订单支撑强劲。2024 年经营性现金流净额大幅改善至 41.5 亿元，但 2025Q1-Q3 受备货等因素影响为 - 30.8 亿元，阶段性承压。

二、看好先进逻辑 + 存储扩产，技术节点进步带来资本开支持续上行

• AI 驱动全球半导体设备市场扩张：SEMI 预测 2025 年全球半导体设备销售额达 1330 亿美元，同比 + 13.7%，2026/2027 年有望升至 1450/1560 亿美元。前道晶圆设备 2025 年预计达 1157 亿美元，2026/2027 年续增；后端测试 / 封装设备受先进封装等驱动，2025-2027 年销售额均保持较高增速。
• 中国大陆为全球最大半导体设备市场：2024 年中国大陆半导体设备销售额占全球 42% 达 495 亿美元，连续四年居首，2025Q1-Q3 占比 37%，2023Q3 以来占比持续超 30%，增速显著高于全球。
• 中国晶圆厂扩产空间广阔：2024 年中国大陆晶圆产能全球占比 22%，低于半导体销售额全球占比的 30%，自主可控需求推动本土晶圆厂逆周期扩产。
• 先进逻辑领域持续扩产：中芯国际为国内扩产主力，2024 年资本开支 73 亿美元，2025 年预计 70-75 亿美元，2025Q3 产能利用率回升至 95.8%。但国内头部逻辑厂商与台积电等国际龙头在产能、全球市占率上仍存在显著差距，具备较大扩产潜力。
• 存储领域扩产动能充足：国内长江存储、长鑫存储与三星、SK 海力士等国际龙头在产能上差距明显，扩产空间大。且两家存储厂商上市融资在即，长鑫存储科创板 IPO 已受理，拟募资 295 亿元用于扩产和研发，长江存储母集团完成股份制改革，有望 2026Q1-Q2 提交 IPO 申请。长鑫存储营收高增，2025 年预计营收 550-580 亿元，亏损持续收窄，产能利用率维持高位，资本开支持续增长。

三、制程迭代带动设备放量，设备商刻蚀、薄膜沉积形成差异化布局

• 制程迭代推动设备投资额倍数增长：逻辑端从 FinFET 向 GAA/CFET 演进，2025 年 GAA 预计量产 2nm；存储端 3D NAND2026 年将突破 400 层，DRAM 向 4F² 及 3D 堆叠演进。先进制程下，单万片产能设备投资额大幅提升，设备投资呈现 “技术节点越先进、单位投资越高” 的乘数效应。
• 刻蚀设备成为先进制程刚需：刻蚀在前道产线价值占比 21%，NAND 刻蚀需求最高。制程迭代推动高深宽比刻蚀（HAR）、高选择比刻蚀（ALE）需求激增，3D NAND 高深宽比刻蚀工艺成本占比随堆叠层数提升显著增加，高选择比刻蚀成为 GAAFET 等先进结构加工的核心工艺。
• 薄膜沉积技术需求升级，ALD 渗透率提升：原子层沉积（ALD）凭借原子级厚度控制等优势，在逻辑端 GAA/CFET 制程、存储端高层数 3D NAND 和 DRAM 4F² 制程中渗透率显著提升，成为 2nm 以下工艺及存储高密堆叠的关键技术。
• 设备商形成差异化竞争布局：国内设备商在刻蚀、薄膜沉积等核心领域各有所长，聚焦自身优势赛道形成差异化发展，核心平台型设备商与细分龙头持续受益于设备结构升级。

四、看好外部制裁加码 & 内部政策支持，设备商技术持续进步带来国产化率提升

• 海外制裁持续收紧，国产替代诉求迫切：美国、荷兰、日本不断强化对 14nm 及以下先进制程半导体设备的出口限制，覆盖光刻、刻蚀、沉积、清洗、量测等核心设备，美国还通过长臂管辖影响非美厂商供货，日本在涂胶显影、清洗等领域占据全球主导地位，中国大陆对其设备依赖度较高。而中国大陆是全球头部设备商的重要市场，2024 财年多家海外设备商在华营收占比达 30%-40%，制裁倒逼国产替代加速。
• 内部政策与资金支持力度加大：大基金三期募资落地，规模 3440 亿元为历史之最，采用 “母基金 + 子基金” 架构，其中国投集新子基金核心投资半导体设备，已完成对拓荆科技子公司的投资，同时大基金三期将重点支持先进制程晶圆厂扩产，推动国内晶圆厂加大国产设备采购。
• 国产化率持续提升，仍有广阔空间：半导体设备整体国产化率从 2017 年的 13% 提升至 2024 年的 20%，2025 年预计达 22%。但涂胶显影、光刻、量检测等多个环节国产化率仍低于 25%，刻蚀、清洗等环节国产化率已显著提升但仍有替代空间。2018 年以来，国内头部设备商在薄膜沉积、刻蚀、清洗等领域的市场份额快速提升，技术突破成效显著。

五、AI 国产算力快速发展，看好先进封装 & 高端测试机产业机遇

• 半导体行业景气度回升，封测设备行业回暖：截至 2025 年 12 月，全球及中国半导体销售额已连续 26 个月同比正增长，国内封测龙头营收同比增速持续回升，晶圆厂和封测厂产能利用率逐步恢复。海外封测龙头日月光 2025 年资本开支大幅增长，国内半导体扩产景气度向上传导至封测设备环节。
• AI 算力发展带动芯片及先进存储器需求激增：2024 年中国智能算力规模达 640.7EFLOPS，2026 年有望达 1271.4EFLOPS；2024 年 AI 芯片市场规模达 1405.9 亿元，保持高速增长。AI 算力芯片对存储性能要求极高，DDR5 替代 DDR4、HBM 替代 GDDR 显存、SSD 替代 HDD 成为趋势，AI 服务器 DRAM 和 NAND 容量需求远高于普通服务器。
• 先进封装设备需求受 HBM+CoWoS 方案推动：HBM 显存 + CoWoS 封装成为 AI 芯片主流方案，2.5D/3D 先进封装技术需要前道图形化设备支撑，相比传统封装，新增薄膜沉积、涂胶显影、光刻、刻蚀等设备需求，推动先进封装设备市场增长。
• 高端测试机需求随芯片复杂性提升而增长：AI 产业化推动的 SoC 芯片和先进存储芯片设计、制造复杂性大幅提升，带动高性能测试机需求增长，预计 2025 年全球存储与 SoC 测试机市场空间突破 70 亿美元。

六、本土相关公司

• 北方华创：核心设备工艺覆盖度超 60%，产品覆盖刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多品类，覆盖度对标全球设备龙头 AMAT，是前道平台化设备核心企业。
• 芯源微：国产涂胶显影设备龙头，28nm 及以上工艺节点取得重要突破，ArFi Track 实现量产，在核心零部件国产化、客户资源拓展等方面持续推进，市场份额有望提升。
• 中微公司：刻蚀机龙头，刻蚀设备可满足约 22% 的集成电路设备需求，同时布局薄膜设备，加速平台化发展，产品覆盖约 33% 的集成电路设备需求，并通过参股布局量检测、CMP 等设备领域。
• 拓荆科技：薄膜沉积设备龙头，2025 年发布多款先进封装新品，完善键合领域产品线，在国内 HBM 应用的键合设备装机量和工艺覆盖率位居第一，向先进封装设备一体化供应商迈进。
• 微导纳米：ALD 设备代表国内先进工艺方向，在逻辑和存储芯片市场开拓顺利，28nm 逻辑芯片相关设备实现产业化应用，存储芯片领域设备获重复订单，存储客户收入占比超 80%。
• 迈为股份：半导体设备业务订单快速放量，布局前道刻蚀、薄膜与后道先进封装等关键环节，2025 年订单规模预计翻倍，2026 年有望进一步增长。
• 华峰测控：自研 ASIC 芯片突破高端测试机瓶颈，8600 测试机对标国际高端机型，可用于 AI 及 SoC、存储芯片测试，能满足国内大多数算力芯片测试需求。
• 长川科技：深耕半导体测试设备领域，产品涵盖测试机、分选机、探针台等，在巩固传统产品优势的同时，SOC、存储测试机等高端设备快速突破，充分受益于 AI 芯片放量。

七、风险提示

• 半导体行业投资不及预期：若行业景气度下滑，下游客户资本支出减少，将导致半导体设备需求下降，影响行业短期业绩。
• 设备国产化进程不及预期：集成电路专用设备技术门槛高，部分环节技术难点或国内厂商产能瓶颈，可能导致国产化进展放缓。
• 技术迭代及工艺路线变化风险：半导体先进制程和先进封装技术迭代快，下游客户技术路线调整或新工艺导入节奏变化，可能引发设备需求结构改变。